类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-261-4 |
极性 | N-CH |
功耗 | 2.1 W |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.2A |
上升时间 | 18 ns |
输入电容值(Ciss) | 330pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 1 W |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 100 V 1.6A(Ta) SOT-223
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFL4310TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL4310PBF 场效应管, MOSFET, N
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IRFL4310TR N沟道MOSFET 2.2A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 FL4310 低栅极电荷/极低的RDS/高功率和电流绫能力
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