| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 2.30 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.2 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.4 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 480 pF |
| 栅电荷 | 22.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.30 A |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 480pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.4 W |
| 下降时间 | 28 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.4W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRFM120ATF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET IRFM120ATF, 2.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild（飞兆/仙童）
符合IEEE802.3af兼容 IEEE802.3af Compatible
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