| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 1.25 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.02 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 1.25 W |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 输入电容 | 430 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 25 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.8A |
| 上升时间 | 2.1 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 430pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.25W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFML8244TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 25 V, 20 mohm, 10 V, 1.7 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFML8244TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 5.8A, 3-SOT-23
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