类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 55.0 V |
额定电流 | 98.0 A |
封装 | TO-247 |
漏源极电阻 | 8.00 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 200 W |
零部件系列 | IRFP064N |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
漏源击穿电压 | 55.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 110 A |
上升时间 | 100 ns |
输入电容值(Ciss) | 4000pF @25V(Vds) |
下降时间 | 70 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(ON) = 0.009ohm ,ID = 70 * A) Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.009ohm, Id=70*A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFP064NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP064NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, TO-247AC 新
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