类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 160 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.036 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 160 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 1900 pF |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
连续漏极电流(Ids) | 42A |
上升时间 | 56 ns |
输入电容值(Ciss) | 1900pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 160 W |
下降时间 | 40 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 16.13 mm |
宽度 | 5.2 mm |
高度 | 21.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon(英飞凌)
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