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IRFP22N50APBF
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IRFP22N50APBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-247
描述:VISHAY  IRFP22N50APBF.  场效应管, MOSFET, N沟道
PDF文件:IRFP22N50APBF 数据手册 (10 页)
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IRFP22N50APBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)500 V
额定电流22.0 A
封装TO-247
额定功率277 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.23 Ω
极性N-Channel
功耗277 W
阈值电压4 V
输入电容3450pF @25V
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)22.0 A
上升时间94 ns
输入电容值(Ciss)3450pF @25V(Vds)
下降时间47 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)277 W
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IRFP22N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度15.87 mm
宽度5.31 mm
高度20.82 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFP22N50APBF 数据手册

IRFP22N50APBF 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
10 页 / 0.3 MByte
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