类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 214 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.075 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 214 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 2159 pF |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
漏源击穿电压 | 200 V |
连续漏极电流(Ids) | 30A |
上升时间 | 43 ns |
热阻 | 0.7℃/W (RθJC) |
输入电容值(Ciss) | 2159pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 214 W |
下降时间 | 33 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 214W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 15.9 mm |
宽度 | 5.3 mm |
高度 | 20.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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