| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 190 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.085 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 上升时间 | 86 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2800pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 190 W |
| 下降时间 | 62 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 190 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 高度 | 20.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 500 |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
9 页 / 1.42 MByte
VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
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