| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247-3 |
| 功耗 | 190W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 输入电容值(Ciss) | 2800pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 190 W |
| 耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.073ohm - 33A TO- 247的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.073ohm - 33A TO-247 PowerMesh II MOSFET
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
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