| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 46.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 55 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 280 W |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 46.0 A |
| 上升时间 | 120 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 280 W |
| 下降时间 | 94 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 280W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 高度 | 20.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 500 |
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP260NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 50A, TO-247AC 新
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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