| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 27.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 4660pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 500W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
10 页 / 0.18 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.18 MByte
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFP27N60KPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） （典型值） = 180mohm ，ID = 27A ） Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
