| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.22 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 W |
| 阈值电压 | 5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 27.0 A |
| 上升时间 | 110 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4660pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 W |
| 下降时间 | 38 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFP27N60KPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） （典型值） = 180mohm ，ID = 27A ） Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)
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