类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-247-3 |
功耗 | 500000 mW |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
上升时间 | 110 ns |
输入电容值(Ciss) | 4660pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 500 W |
下降时间 | 38 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 500W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFP27N60KPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) (典型值) = 180mohm ,ID = 27A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)
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