| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 330 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 4.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 470 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 13000 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 209A |
| 上升时间 | 190 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 13000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 470 W |
| 下降时间 | 130 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 470W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 20.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
●Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.21 MByte
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 75V ， RDS（ON） = 4.5mohm ，ID = 209A ） Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=4.5mohm, Id=209A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFP2907PBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFP2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
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