类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 75.0 V |
额定电流 | 209 A |
封装 | TO-247-3 |
漏源极电阻 | 4.5 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 470 W |
零部件系列 | IRFP2907 |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 13000pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 75 V |
漏源击穿电压 | 75 V |
连续漏极电流(Ids) | 209 A |
上升时间 | 190 ns |
输入电容值(Ciss) | 13000pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 470 W |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
长度 | 15.87 mm |
高度 | 20.7 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(ON) = 4.5mohm ,ID = 209A ) Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=4.5mohm, Id=209A)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFP2907PBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFP2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
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