| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 90.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 4.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 310 W |
| 零部件系列 | IRFP2907Z |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 7500pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 90.0 A |
| 上升时间 | 140 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7500pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 310 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 高度 | 20.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 75V ， RDS（ON） = 4.5mohm ，ID = 209A ） Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=4.5mohm, Id=209A)
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFP2907PBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 209 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFP2907ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
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