类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 14.0 A |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 190 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.4 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 190 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 2.60 nF |
栅电荷 | 150 nC |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 14.0 A |
上升时间 | 47 ns |
输入电容值(Ciss) | 2600pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 190 W |
下降时间 | 44 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 190 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.87 mm |
宽度 | 5.31 mm |
高度 | 20.7 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
9 页 / 1.52 MByte
VISHAY(威世)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14A - TO- 247的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 0.33ohm - 14A - TO-247 PowerMESH] MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 14A) Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.40ohm, Id=14A)
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