| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.58 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 180 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 40 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2100pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 180 W |
| 下降时间 | 29 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 180 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 高度 | 20.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
9 页 / 0.18 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFPC50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFPC50LCPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 2 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
