| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 2300pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFPC50LCPBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 600 mohm, 10 V, 2 V
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