类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 16.0 A |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 280 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.4 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 280 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 16.0 A |
上升时间 | 54 ns |
输入电容值(Ciss) | 3900pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 280 W |
下降时间 | 56 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
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IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 16A) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFPC60PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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