| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247-3 |
| 功耗 | 150W (Tc) |
| 输入电容值(Ciss) | 1900pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
9 页 / 0.78 MByte
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 2.0ohm ，ID = 5.4A ） Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.4A)
Vishay Semiconductor（威世）
N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
