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IRFPG50PBF
来自 AiPCBA

IRFPG50PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-247-3
描述:VISHAY  IRFPG50PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRFPG50PBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IRFPG50PBF 数据手册 (9 页)
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IRFPG50PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.00 kV
额定电流6.10 A
封装TO-247-3
额定功率190 W
针脚数3 Position
漏源极电阻2 Ω
极性N-Channel
功耗180 W
阈值电压4 V
输入电容2800pF @25V
漏源极电压(Vds)1 kV
漏源击穿电压1000 V
连续漏极电流(Ids)6.10 A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)2800pF @25V(Vds)
下降时间36 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)190 W
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IRFPG50PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度15.87 mm
宽度5.31 mm
高度20.7 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFPG50PBF 数据手册

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Vishay Semiconductor（威世）
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