类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 1.00 kV |
额定电流 | 6.10 A |
封装 | TO-247-3 |
额定功率 | 190 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 2 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 190 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 1000 V |
漏源击穿电压 | 1.00 kV |
连续漏极电流(Ids) | 6.10 A |
上升时间 | 35.0 ns |
输入电容值(Ciss) | 2800pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 190 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 190 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.87 mm |
宽度 | 5.31 mm |
高度 | 20.7 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 500 |
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
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VISHAY(威世)
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International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(ON) = 2.0ohm ,ID = 6.1A ) Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY IRFPG50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V
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