IRFPG50PBF 数据手册 - Vishay Siliconix

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IRFPG50PBF 技术参数、封装参数

类型	描述
产品生命周期	Active
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

Vishay Siliconix

International Rectifier（国际整流器）

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

TT Electronics/IRC

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 1000V ， RDS（ON） = 2.0ohm ，ID = 6.1A ） Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFPG50PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4 V

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,1000V,6.1A,2Ω@10V

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