| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 441 W |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 580 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 170A |
| 上升时间 | 270 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6790pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 580 W |
| 下降时间 | 140 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 580W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 高度 | 20.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.009ohm ，ID = 170A ） Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id=170A)
Infineon（英飞凌）
N沟道 100 V 580 W 260 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-274AA
International Rectifier（国际整流器）
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