| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 110W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13A |
| 输入电容值(Ciss) | 830pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.235ohm ，ID = 13A） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 0.235 ohm, 10 V, 5.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR13N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 235 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier（国际整流器）
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