| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 13.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 0.235 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 零部件系列 | IRFR13N20D |
| 输入电容 | 830pF @25V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.0 A |
| 上升时间 | 27.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 830pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
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IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.235ohm ，ID = 13A） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 0.235 ohm, 10 V, 5.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR13N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 235 mohm, 10 V, 5.5 V
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Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IRFR13N20DTRLP DPAK
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