| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 110 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 235 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 5.5 V |
| 输入电容 | 830 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13A |
| 上升时间 | 27 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 830pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.66 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.14 MByte
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.235ohm ，ID = 13A） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 0.235 ohm, 10 V, 5.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR13N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 200 V, 235 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
