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IRFR220PBF
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IRFR220PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:VISHAY  IRFR220PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRFR220PBF 数据手册 (8 页)
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IRFR220PBF 数据手册 (8 页)
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IRFR220PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流4.80 A
封装TO-252
针脚数3 Position
漏源极电阻0.8 Ω
极性N-Channel
功耗42 W
阈值电压4 V
输入电容260pF @25V
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)4.80 A
上升时间22 ns
输入电容值(Ciss)260pF @25V(Vds)
下降时间13 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5 W
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IRFR220PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.39 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IRFR220PBF 数据手册

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Vishay Semiconductor（威世）
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