| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 110 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 14.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 59A |
| 上升时间 | 66 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1380pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.5 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR2905ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR2905ZPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 59A, D-PAK
International Rectifier（国际整流器）
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