| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 52 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.115 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 79 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 640 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 16A |
| 上升时间 | 27 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 640pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 79 W |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 79W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
●Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.38 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.32 MByte
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.15 MByte
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.11 MByte
International Rectifier（国际整流器）
IRF
功率MOSFET （ VDSS = 100V ，导通电阻Rds = 0.115ohm ，ID = 16A） Power MOSFET(Vdss=100V, Rds=0.115ohm, Id=16A)
Infineon（英飞凌）
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR3910TRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 16A, DPAK
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFR3910PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 100 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR3910TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 16A, D-PAK
International Rectifier（国际整流器）
INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR3910PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 16A, D-PAK 新
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
