| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 19.0 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 48W (Tc) |
| 零部件系列 | IRFR4105Z |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0V (min) |
| 连续漏极电流(Ids) | 30.0 A |
| 上升时间 | 40.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 740pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 48W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.2 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 0.045 ohm, 10 V, 4 V
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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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INFINEON IRFR4105ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 24.5 mohm, 10 V, 4 V
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场效应管(MOSFET) IRFR4105TRLPBF DPAK
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