| 类型 | 描述 |
|---|
| 漏源极电阻 | 8.86 mΩ |
| 漏源击穿电压 | 55.0V (min) |
| 上升时间 | 61.0 ns |
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Infineon（英飞凌）
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IRFR48ZTRPBF TO-252
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 0.00886 ohm, 10 V, 4 V
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