| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -100 V |
| 额定电流 | -13.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 66W (Tc) |
| 零部件系列 | IRFR5410 |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.0 A |
| 上升时间 | 58.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 760pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 66W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 100 V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。
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P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V
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晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -100 V, 0.205 ohm, -10 V, -4 V
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INFINEON IRFR5410PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 13 A, -100 V, 205 mohm, -10 V, -4 V
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INTERNATIONAL RECTIFIER IRFR5410PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 13A, D-PAK 新
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