| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 38 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.175 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 38 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 350 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11A |
| 上升时间 | 55 ns |
| 反向恢复时间 | 47 ns |
| 正向电压(Max) | 1.6 V |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 38 W |
| 下降时间 | 37 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温 | -55℃ ~ 150℃ |
| 耗散功率(Max) | 38W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
11 页 / 1.35 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
27 页 / 0.31 MByte
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
6 页 / 0.15 MByte
International Rectifier（国际整流器）
Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.28ohm ，ID = -8.8A ） Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
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