| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -55.0 V |
| 额定电流 | -11.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.175 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 38 W |
| 零部件系列 | IRFR9024N |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | -11.0 A |
| 上升时间 | 55.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 38 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.175Ω @-1.6A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -2.0--4.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 3.8W Description & Applications| Ultra Low On-Resistance P-Channel Surface Mount (IRFR9024N) Straight Lead (IRFU9024N) Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated 描述与应用| 超低导通电阻 P沟道 表面贴装（IRFR9024N） 直铅（IRFU9024N） 先进的工艺技术 快速切换
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Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
IRF
功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.28ohm ，ID = -8.8A ） Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
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