类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
额定功率 | 38 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.175 Ω |
极性 | P-CH |
功耗 | 38 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 350 pF |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
漏源击穿电压 | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 11A |
上升时间 | 55 ns |
输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 38 W |
下降时间 | 37 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 38W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 40V 到 55V,Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.28ohm ,ID = -8.8A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
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