类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-252-3 |
功耗 | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
输入电容值(Ciss) | 200pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Siliconix
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Intersil(英特矽尔)
3.1A , 100V , 1.200欧姆,P沟道功率MOSFET 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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