| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 额定功率 | 39 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.48 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 40 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.6A |
| 上升时间 | 47 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 350pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 下降时间 | 31 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not For New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon
●Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.25 MByte
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International Rectifier（国际整流器）
Intersil（英特矽尔）
5.6A ， 100V ， 0.600欧姆，P沟道功率MOSFET 5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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