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IRFRC20PBF
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IRFRC20PBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:中高压MOS管
封装:TO-252
描述:VISHAY  IRFRC20PBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 600 V, 4.4 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IRFRC20PBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在8 页9 页
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IRFRC20PBF 数据手册 (11 页)
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IRFRC20PBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252
额定功率42 W
针脚数3 Position
漏源极电阻4.4 Ω
极性N-Channel
功耗42 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)2.00 A
上升时间23 ns
输入电容值(Ciss)350pF @25V(Vds)
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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IRFRC20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tube
高度2.39 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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