类型 | 描述 |
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封装 | D2PAK |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 150 V |
连续漏极电流(Ids) | 23A |
上升时间 | 32 ns |
下降时间 | 8.4 ns |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 150 V, 0.09 ohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 150V , RDS(ON)最大值= 0.090ohm ,ID = 23A ) Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
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