类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 7 Pin |
封装 | TO-263-7 |
额定功率 | 375 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 7 Position |
漏源极电阻 | 0.00055 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 375 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 13975 pF |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 522A |
上升时间 | 79 ns |
输入电容值(Ciss) | 13975pF @25V(Vds) |
下降时间 | 93 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 375W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,40V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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INFINEON IRFS7430TRL7PP 晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 40 V, 0.00055 ohm, 10 V, 3 V
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