类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 7 Pin |
封装 | TO-263-7 |
额定功率 | 375 W |
针脚数 | 7 Position |
漏源极电阻 | 0.00115 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 375 W |
阈值电压 | 3.7 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 338A |
上升时间 | 102 ns |
输入电容值(Ciss) | 12960pF @25V(Vds) |
下降时间 | 79 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 375000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,Infineon
●Infineon 的
●StrongIRFE
● 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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INFINEON IRFS7530TRL7PP 晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.00115 ohm, 10 V, 3.7 V
International Rectifier(国际整流器)
StrongIRFET™ 功率 MOSFET,InfineonInfineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化,RDS(接通)低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用,包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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