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IRFSL11N50APBF
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IRFSL11N50APBF 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:Vishay Siliconix
分类:MOS管
封装:TO-262-3
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焊盘图
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IRFSL11N50APBF 数据手册 (10 页)
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IRFSL11N50APBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-262-3
功耗190W (Tc)
漏源极电压(Vds)500 V
输入电容值(Ciss)1426pF @25V(Vds)
额定功率(Max)190 W
耗散功率(Max)190W (Tc)

IRFSL11N50APBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IRFSL11N50APBF 数据手册

IRFSL11N50APBF 其他数据使用手册
Vishay Siliconix
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