IRFSL3306PBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-262-3
描述:	HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFSL3306PBF 数据手册 (12 页)

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IRFSL3306PBF 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-262-3
额定功率	230 W
极性	N-CH
功耗	230 W
漏源极电压(Vds)	60 V
连续漏极电流(Ids)	160A
上升时间	76 ns
输入电容值(Ciss)	4520pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	230 W
下降时间	77 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	230W (Tc)

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IRFSL3306PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
材质	Silicon
长度	10.67 mm
宽度	15.01 mm
高度	4.83 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IRFSL3306PBF 符合标准

IRFSL3306PBF 概述

IRFSL3306PBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.31 MByte

IRFSL3306PBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFSL3306PBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFSL3306PBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRFSL3306PBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFSL3306 数据手册

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HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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