| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 漏源极电阻 | 0.54 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 25 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.30 A |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 180pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.5 W |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 25000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 2.38 mm |
| 高度 | 6.22 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 3000 |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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Intersil（英特矽尔）
4.7A ， 100V ， 0.540 Ohm的N通道功率MOSFET 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY IRFU110PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 4.3A, IPAK
International Rectifier（国际整流器）
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