类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-251-3 |
额定功率 | 48 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0245 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 48 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
连续漏极电流(Ids) | 30A |
上升时间 | 40 ns |
输入电容值(Ciss) | 740pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 48 W |
下降时间 | 24 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 48W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 6.6 mm |
宽度 | 2.3 mm |
高度 | 6.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET,55V,Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon(英飞凌)
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International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFU4105ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 24.5 mohm, 10 V, 4 V
International Rectifier(国际整流器)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IRFU4105PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
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