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IRFZ34NSTRRPBF
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IRFZ34NSTRRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:场效应管(MOSFET) IRFZ34NSTRRPBF D2PAK
PDF文件:IRFZ34NSTRRPBF 数据手册 (11 页)封装尺寸在8 页9 页
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焊盘图
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IRFZ34NSTRRPBF 数据手册 (11 页)
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IRFZ34NSTRRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
额定功率68 W
通道数1 Channel
漏源极电阻40 mΩ
极性N-CH
功耗3.8 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)55 V
漏源击穿电压55 V
连续漏极电流(Ids)29A
上升时间49 ns
反向恢复时间57 ns
正向电压(Max)1.6 V
输入电容值(Ciss)700pF @25V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
工作结温-55℃ ~ 175℃
耗散功率(Max)3.8W (Ta), 68W (Tc)
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IRFZ34NSTRRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IRFZ34NSTRRPBF 数据手册

IRFZ34NSTRRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.16 MByte
IRFZ34NSTRRPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRFZ34NSTRRPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IRFZ34NSTRRPBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRFZ34NSTRRPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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