| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.028 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 35.0 A |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1900pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 50 |
N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
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