| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-262-3 |
| 额定功率 | 110 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0175 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 1470 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 49A |
| 上升时间 | 60 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1470pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.8 W |
| 下降时间 | 45 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.54 mm |
| 宽度 | 4.69 mm |
| 高度 | 10.54 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon
●Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.32 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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International Rectifier（国际整流器）
NXP（恩智浦）
N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
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